VIPschool.ru - Выпускники и преподаватели СУНЦ МГУ (школа им. А.Н.Колмогорова, ФМШ 18 при МГУ)




Наши партнеры



прислать новость        образование    наука    бизнес    политика    культура                 все        
Исламов Рафаэл Шайхиевич

Исламов
Рафаэл Шайхиевич


Исламов Рафаэл Шайхиевич в 1971 году окончил физико-математическую школу-интернат №18 имени А.Н.Колмогорова при МГУ, в 1976 году – факультет радиотехники и кибернетики Московского физико-технического института, а в 1982 году - аспирантуру Московского физико-технического института.

В 1983 году защитил кандидатскую диссертацию на факультете физической химии МФТИ. В 2004 году защитил докторскую диссертацию на физическом факультете Московского государственного университета имени М.В.Ломоносова. Ведущий научный сотрудник института проблем лазерных и информационных технологий РАН.

В течение 1977-1994 г. был выполнен цикл исследований процессов в низкотемпературной неравновесной плазме (анализ сечений взаимодействия электрона с атомами и молекулами; разработка эффективного метода решения уравнения Больцмана для электронов и расчеты кинетических коэффициентов и баланса энергии электронов в плазме смесей возбужденных молекул и атомов; расчеты люменесценции плазмы в ИК и видимом диапазонах и разработка методики восстановления колебательных температур молекул CO2 по экспериментальным значениям ИК-люменесценции). Было установлено, что при больцмановском распределении заселенности уровней в мультиплете задача о колебательной релаксации в симметричной и деформационных модах CO2 в сильнонеравновесных условиях сводится к уравнениям для населенностей эффективного ангармонического осциллятора.

В течение 1979-1990 г. были разработаны поуровневые модели HF- и CO2-лазеров и выполнен цикл исследований по оптимизации режимов работы ряда газодинамических и газоразрядных лазеров (расчеты характеристик усиления и генерации на традиционных и также, в случае CO2-лазеров, длинноволновых переходах (16.2, 16.7, 17.2, 17.6 и 18.4 мкм)). Развитая численная реализация алгоритма решения системы жестких кинетических уравнений с применением формул дифференцирования назад позволила существенно сократить счетное время. Анализ известных экспериментов на основе поуровневой модели позволил устранить противоречия в интерпретации наблюдений и уточнить константу обмена между фермисвязанными уровнями 1000 и 0200 молекул CO2.

В период 1990-2005 г. были выполнены фундаментальные исследования газового разряда повышенного давления. Были определены граничные условия, обеспечивающие существование, положительность и единственность слабых и сильных решений диффузионно-дрейфового приближения в теории газового разряда. Был разработан экономичный, математически обоснованный вычислительный алгоритм второго порядка точности по пространствееным координатам для исследования динамических характеристик двумерного тлеющего газового разряда повышенного давления. Была разработана замкнутая аналитическая модель процессов самоорганизации анодных токовых пятен в тлеющем газовом разряде, асимптотически эквивалентная диффузионно-дрейфовой модели газового разряда. Предложенная модель вписывается в общую концепцию активных сред с диффузией в синергетике и позволяет описывать процессы самоорганизации токовых структур на аноде в рамках понятий „активатора“ (плотность тока) и „ингибитора“ (анодное падение потенциала). Было показано, что образование упорядоченных токовых структур на аноде происходит вследствие неустойчивости тьюринговского типа в бистабильной системе с S-образной вольт-амперной характеристикой. Численно была показана первичность зарождения токовой неустойчивости на аноде, на которую лишь впоследствии по достижению возмущения катодной области накладывается процесс скоротечного образования катодного пятна с локализацией тока во всем разрядном промежутке. Численно и аналитически было определено пороговое значение полного тока через анодное пятно, соответствующее переходу в режим пятна с нормальной плотностью тока. Теоретически было продемонстрировано стабилизирующее влияние диффузии и анодной оксидной пленки и наличие пороговых значений их параметров, когда спонтанное возникновение токовых пятен становится невозможным.

Область профессиональных интересов охватывает вопросы, связанные с физикой низкотемпературной плазмы; физикой газового разряда; явлением самоорганизации в физике, психологии, социалогии. Подготовил 1 кандидата наук. Получил два гранта: Grantee Internat. Sci. Found. (1993) и исследовательский грант РФФИ (руководитель проекта, 1996-1997).

При написании статьи использовались материалы с сайта islamovrsh.narod.ru.



Срочно в номер!
Новый прием в СУНЦ МГУ - Школу им. А. Н. Колмогорова.
Лента новостей
4 декабря 2009г.
IV Всероссийская Интернет - олимпиада по нанотехнологиям
Основные направлениями олимпиады: химия, физика, математика, биология.
3 декабря 2009г.
СУНЦ МГУ совместно с ФНМ МГУ приглашают на лекции «Нанотехнологии – навстречу наномиру»
Приглашаются все желающие!
4 декабря 2008г.
Михаил Кузнецов приглашен на торжественную церемонию в Кремль
Губернатор Псковской области - выпускник ФМШ
2 декабря 2008г.
«Белый город» на выставке «Millionaire Fair»
Один из руководителей издательства - выпускник Колмогоровской школы
28 ноября 2008г.
"ПрограмБанк" автоматизирует КБ "Профит Банк"
Директор по производству ПрограмБанка – выпускник школы Колмогорова
VIP-новости
ОМК-ЭкоМеталл – организатор конференции Ruslom 28 апреля 2008г.
ОМК-ЭкоМеталл – организатор конференции Ruslom
Михаил Кузнецов: О стратегиях развития России 8 февраля 2008г.
Михаил Кузнецов: О стратегиях развития России
IBS: не виртуальный статус от лидера виртуализации 26 декабря 2007г.
IBS: не виртуальный статус от лидера виртуализации


Партнеры:

 
Почта Вход СУНЦ МГУ © школа им. А.Н.Колмогорова
VIPschool.ru © Ученики, выпускники, преподаватели, новости.
Руководитель проекта © Синкевич Олег Викторович
Написать письмо